按照你的要求，我推荐如下两所学校：

1、中央戏剧学院

2、中国戏曲学院

这两所学校都在北京，而且相当靠谱。中央戏剧学院是国家教育部直属的院校，中国戏曲学院也是的。所以这个不用担心。

其实别的地方，比如南京、四川、上海等地的一些艺术院校也有类似专业，但我考虑了一下，目前国内比较有权威性的和可靠性的（意思就是说话算数的）只有这两个。而且你要求的是和戏曲、戏剧有关的，所以非它们莫属了。

另外，我想好意地提醒你一下，有中国古代戏曲专业的研究生，有中国近代戏剧（话剧）史的研究生，但没有“戏剧戏曲学研究生”。如果你想了解更具体的一些情况，最好去中戏和中国戏曲学院这两个学校的官方网站上查询一下，历年的招生都有信息保留在上面，包括具体名称、考试流程、考试内容等等。查阅官网的目的是帮助你明确思路和具体方向，免得空耗精力和时间。

PS：这两所学校竞争压力都很大。三流四流的学校才能达到你所要求的“竞争压力小”。靠谱的学校不好考，好考的学校不靠谱。你都准备考研了，应该在这一点上比我这名在校生更明白吧。嗯，你懂的。

四川省主要有的地方戏剧种：川剧 四川灯戏 四川曲艺剧 秀山花灯戏等。其中川剧是最出名的。

川剧大约是在明末清初发展起来的。当时，北边的陕西、甘肃和南方的湖广等省大量移民流人四川，随之带来了具有各地乡土气息的戏曲艺术。这些外来戏曲艺术经过与四川本地戏曲艺术的交流、融合，逐渐形成一种有别于其它戏曲艺术的剧种—— 川剧。

四川灯戏是源于四川东北部地区的戏曲剧种之一，它是由广大劳动人民创建，经长期发展不断完善和丰富的民众喜闻乐见的艺术瑰宝，也是一代又一代的无数民间艺人心血与智慧的结晶。

四川曲艺是以四川民间说唱艺术为基础发展起来的，其起源可追溯到汉代以前。

秀山花灯戏源于汉族"灯儿戏"，后来融入了武陵山土家族、苗族的歌舞表演技巧，发展为一种格调新颖，歌舞动人，为汉、土、苗各族人民喜爱的艺术形式。

扩展资料：

川剧的传承

2006年，当人们再次把目光投向川剧时，发现它已被赫然列入濒危非物质文化遗产名录，即将消失。于是，一场“振兴川剧”的保卫战再次打响。

早在上世纪七八十年代，大家就开始喊出了振兴川剧的口号。当一样东西需要振兴的时候，说明它已经不景气了。尽管四川各地川剧院以《金子》等多个国家精品剧、优秀保留剧目让业界惊羡，但依旧难逃人才断层、新剧创作乏力、名角稀缺等“疑难杂症”。

在低收入造成川剧人才流失的同时，也让引进人才举步维艰。现在川剧舞台急缺演员，“生旦净末丑”五个行当无法凑齐，名角更是少之又少。因为没有年轻演员顶班，许多老演员无法退休，人才断层现状令人堪忧。

以地方戏曲为例。上世纪50年代，我国共有367个传统戏曲剧种，到目前已经消亡了100多种。一些极具特色的小剧种已成为戏曲史料，有的甚至没有留下任何音像资料。即使是仍然勉强留存的，大多数面临着后继无人、资金短缺、没有剧场、表演技巧消失等困难。

参考资料：

                 -川剧    

               -秀山花灯戏     

               -四川灯戏

这个单位是复旦大学与华大半导体联合创办的单位，或者可以叫课题组，是专门的研发单位。这个单位是招聘的，但是目前来说只招聘博士以上学历，而且要求很高，不过待遇也很好。

以下是参考资料。是今年一月发布的。

为加快实施创新驱动发展战略，由复旦大学与华大半导体联合申报的上海碳化硅功率器件工程技术研究中心于2020年2月被上海市科委批准建立。中心通过与半导体器件生产和电力电子应用企业紧密合作，致力于研发基于宽禁带与超宽禁带半导体，特别是碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）材料为核心的新型功率器件、工艺和模块，加速下一代宽禁带半导体功率电子的广泛应用。工程中心将致力创建具备国际领先水平的宽禁带材料缺陷研究、器件制造工艺开发、元器件设计、模块封装以及可靠性测试、先进电力电子技术创新开放平台及高层次工程技术型人才培养中心和产业化辐射中心。中心成立以来，已承担多项宽禁带功率器件和模块重大项目，包括和龙头企业研发碳化硅器件的特色新工艺、与国家重点实验室开发超高压碳化硅器件和封装、参与多项省市科技重大专项等。中心正在积极建设宽禁带半导体工艺研发创新平台（复旦大学宁波研究院宽禁带材料与器件研究所），和国际知名企业共建创新中心和研究院。中心现有教授/研究员10人，其中特聘教授5人，副教授/青年研究员15人，超级博士后2人。中心招收宽禁带半导体物理与器件、半导体材料与集成电路、微纳器件系统集成、器件及可靠性测试、电力电子技术等方向的物理电子学硕士、博士研究生。

中心负责人张清纯教授，现任复旦大学特聘教授，博士生导师，上海碳化硅功率器件工程技术研究中心主任，复旦大学宁波研究院宽禁带半导体材料与器件研究所所长，复旦大学工程与应用技术研究院宽禁带半导体与超越照明研究所副所长，专长于宽禁带半导体物理与器件的教学、科研、应用与产业化，长期从事SiC器件的研发和产业化，是该领域国际知名专家。迄今已撰写100余篇科技论文和SiC器件领域专著；多次受邀在国际碳化硅、功率半导体的学术会议上作大会报告；作为第一和合作发明人，拥有100多项美国及国际专利；多次担任ISPSD技术委员会成员和碳化硅器件分会主席；曾任国际电力电子技术路线图研讨会联合主席等。

因研究工作需要，针对以下方向招聘博士后数名：

1)宽禁带半导体材料生长与缺陷表征技术

2)宽带半导体功率器件设计、先进制造工艺及器件可靠性评价

3)超宽禁带半导体材料、器件及工艺研究

4)高频高功率先进封装技术与可靠性测试

职位要求。

1)已获得或即将获得微电子、电力电子器件与应用、半导体物理与材料、半导体制造装备、材料科学与工程等相关专业的博士学位，具有扎实的理论基础和较强动手实践能力，至少具备相关领域一项相关研发经验;

2)能独立开展研究工作，并具有优秀的团队合作精神，尤其是从事交叉性学科研究的能力，且具有优秀的动手能力和主动性；

3)具有良好的英语读写能力，可以独立撰写研究论文，具有功率半导体领域出色研发经历将获得优先考虑